簡易檢索 / 檢索結果

  • 檢索結果:共1筆資料 檢索策略: "電子工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="寫入緩衝區"


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    針對NAND型快閃記憶體的寫入緩衝區逐出策略及頁面履歷映射方法
    • /105/ 碩士
    • 研究生: 張議方 指導教授: 吳晋賢
    • 近年來,由於NAND Flash Memory具有體積小、非揮發性、抗震性、功耗低以及存取速度高等優點,使得在個人電腦、手機、各類儲存裝置或是嵌入式裝置上,都大量地使用NAND Flash Memo…
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